通過(guò)CCD位移寄存器的電荷轉(zhuǎn)移發(fā)生整合之后移居累積電荷信息到讀出放大器，其在物理上與平行像素陣列分開(kāi)。 幾個(gè)時(shí)鐘方案，包括在圖1所示的兩相技術(shù)中，被用來(lái)從收集門(mén)的電荷轉(zhuǎn)移到輸出節(jié)點(diǎn)。 兩相電荷轉(zhuǎn)移CCD時(shí)鐘方案采用四個(gè)城門(mén)的每個(gè)像素，具有連接在一起，對(duì)相鄰的門(mén)。 兩相的CCD方案需要比所描述的更復(fù)雜的時(shí)鐘安排四相和三相的CCD結(jié)構(gòu)。 所示的移位寄存器在圖1包括一個(gè)半像素單元，共計(jì)六個(gè)門(mén)沿公共軸線(xiàn)對(duì)齊，以形成一列。 每一個(gè)柵極一對(duì)被連接到備用時(shí)鐘線(xiàn)和在每對(duì)柵極中的一個(gè)被設(shè)計(jì)與柵下方增加n型摻雜水平。 當(dāng)電壓被施加到柵極對(duì)，具有增加的摻雜水平的柵具有更正電位，這增加了電荷存儲(chǔ)區(qū)域的深度和結(jié)果在勢(shì)能曲線(xiàn)的“臺(tái)階”。 靜電力在柵極下方的硅襯底的性質(zhì)是由時(shí)鐘輸入信號(hào)施加到一個(gè)特定柵極的電壓電平?jīng)Q定的。 高電平電壓誘發(fā)一個(gè)潛在的“井”下方的柵極的形成，而低電平電壓形成的勢(shì)壘，以電子運(yùn)動(dòng)。 時(shí)鐘線(xiàn)被交替脈沖，從而導(dǎo)致在電荷分組（示出為圖1中的紫色“電子”）沿所述CCD中由額外的摻雜的位置確定一個(gè)方向被移位。 對(duì)于只有兩個(gè)時(shí)鐘相位的要求降低了設(shè)備的復(fù)雜性，但需要額外的處理的費(fèi)用。（奧林巴斯顯微鏡） （在圖1所示的CCD在t（1））的初始狀態(tài)是與在P上的組合門(mén)（1），具有一個(gè)低級(jí)別的電壓形成的一對(duì)階梯狀勢(shì)壘，與電位高，該區(qū)域下方的具有增加的摻雜水平的大門(mén)。 同時(shí)，在P上的組合門(mén)（2）具有高電平電壓和形式階梯勢(shì)阱，其中最深孔下方出現(xiàn)具有正常的摻雜水平（井填充有紫色球體表示集成電荷或門(mén)“電子“）。在t（2），以完成周期短，電壓電平與所述柵極以P反轉(zhuǎn)（1）具有高電平電壓（以及勢(shì)阱）和柵極為P（2）具有低電平電壓。